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J-GLOBAL ID：200903036214296144

半導体デバイスおよびその製造方法

Inventor： 北條 義之 ,  中村 恒夫 ,  南方 量二 ,  松井 美和 ,  竹内 博明
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (3)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  山崎 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002380023
Publication number (International publication number)：2004128438
Application date： Dec. 27, 2002
Publication date： Apr. 22, 2004
Summary：

【課題】従来の太陽電池に用いられているパッシベーション技術における、熱酸化膜では高温度が必要で、基板への熱的影響が大きく、水素プラズマや水素アニールでは設備費用が高価になる課題を解決する。【解決手段】半導体の内部で生成または誘起されたキャリアに基づいて動作する半導体デバイスであって、Si-H結合を有する液体または固体を有機溶剤などに溶解した膜形成液体を半導体の表面に塗布し、乾燥し、400°C以上、800°C以下で焼成することによって絶縁膜をその表面に形成する半導体デバイスの製造法およびこの方法により得られる半導体デバイス。pn構造シリコン太陽電池の受光面側に、屈折率が1.4以上でかつシリコン基板の屈折率以下の膜を形成した上に、上記膜形成液による水素化酸化シリコン膜を設置する。【選択図】 図10

Claim (excerpt)：

半導体の内部で生成または誘起されたキャリアに基づいて動作する半導体デバイスであって、Si-H結合を有する液体または固体を有機溶剤などに溶解した膜形成液体(Si-H塗料)を半導体の表面に塗布し、乾燥し、400°C以上、800°C以下で焼成することによって形成された絶縁膜をその表面に有することを特徴とする半導体デバイス。

IPC (5)：

H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L31/04

FI (4)：

H01L21/316 G ,  H01L31/04 F ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 617V

F-Term (55)：

5F051AA02 ,  5F051CB13 ,  5F051CB20 ,  5F051CB24 ,  5F051CB29 ,  5F051DA03 ,  5F051DA20 ,  5F051HA03 ,  5F051HA20 ,  5F058BA07 ,  5F058BC02 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ03 ,  5F110AA16 ,  5F110AA17 ,  5F110AA26 ,  5F110BB20 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF35 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110HJ13 ,  5F110NN02 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ23 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BD06 ,  5F140BE02 ,  5F140BE09 ,  5F140BE17 ,  5F140BK13 ,  5F140CD04 ,  5F140CF00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 基材上にコーティングを形成する方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-351008   Applicant：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
• コーティング体および太陽電池モジュール
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-287867   Applicant：ティーディーケイ株式会社
• 半導体薄膜形成用下地基板及び該基板を用いた半導体薄膜の固相成長法並びに光起電力装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-318414   Applicant：三洋電機株式会社
• 光起電力素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-120236   Applicant：キヤノン株式会社
• 太陽電池およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-212287   Applicant：キヤノン株式会社
• シリコンリボンの製造装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-187068   Applicant：シャープ株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-331756   Applicant：株式会社東芝
• 太陽電池セルの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-159992   Applicant：シャープ株式会社