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J-GLOBAL ID：200903036223836100

不揮発性半導体装置およびその製造方法

Inventor： 佐藤 佳男
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992002203
Publication number (International publication number)：1993190861
Application date： Jan. 09, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、不揮発性半導体装置の一つであるEEPROMのフローティングゲート部分の構造と製法に関するもので、配線の断線などの原因となる積層構造特有の段差を低減することを目的とするものである。【構成】 前記目的のために本発明は、半導体基板21に形成されたアクティブ領域に、基板21表面に対して垂直でない角度(実施例では45°)で溝23を形成し、その溝23を埋め込むようにフローティングゲート28を形成するようにしたものである。

Claim (excerpt)：

半導体基板に、その表面に対して垂直でない角度で溝が形成されており、フローティングゲートが前記溝内に埋め込まれている形状であることを特徴とする不揮発性半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792