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J-GLOBAL ID：200903036228273430

ダイヤモンド薄膜電子回路

Inventor： 西村 耕造 ,  小山 久 ,  熊谷 和夫
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 藤巻 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994075129
Publication number (International publication number)：1995283240
Application date： Apr. 13, 1994
Publication date： Oct. 27, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ダイヤモンド薄膜を使用して形成された電界効果トランジスタにより構成された電子回路において、電界効果トランジスタの出力の温度依存性を抑制することができ、高温下でも正確に動作するデジタル回路を得ることができると共に、設計が容易なアナログ回路を得ることができるダイヤモンド薄膜電子回路を提供する。【構成】 電界効果トランジスタ1はダイヤモンド薄膜を使用して形成されたトランジスタであり、そのソース2は接地され、ゲート3に信号が入力される。また、この電界効果トランジスタ1のドレイン4と電源との間には抵抗体5が介装されている。この抵抗体5は電界効果トランジスタ1の活性層の活性化エネルギと±5%以内で一致する活性化エネルギを有するダイヤモンド薄膜により形成されている。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド薄膜を使用して形成された電界効果トランジスタと、この電界効果トランジスタの活性層の活性化エネルギの0.95乃至1.05倍の活性化エネルギを有し前記電界効果トランジスタのソース又はドレインに直列にモノリシック又はハイブリッドに接続されたダイヤモンド薄膜からなる抵抗体とを有することを特徴とするダイヤモンド薄膜電子回路。

IPC (4)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  C01B 31/06 ,  H01L 29/78

FI (2)：

H01L 29/80 B ,  H01L 29/78 301 B