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J-GLOBAL ID：200903036229866044

ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法

Inventor：
安波 昭一郎

About 安波 昭一郎


Applicant, Patent owner：
富士写真フイルム株式会社

About 富士写真フイルム株式会社


Agent (5)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004067342
Publication number (International publication number)：2005257884
Application date： Mar. 10, 2004
Publication date： Sep. 22, 2005
Summary：
【課題】 電子線、X線、あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、特にレジスト組成物を250nm以下の超薄膜で用いる場合における、高感度、高解像性、良好なラインエッジラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)アルカリ現像液は不溶又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる性質を有するフェノール性ポリマー、 (B)電子線、X線、又はEUV光の照射により酸を発生する化合物、及び、 (C)沸点160°C以上の溶剤を含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
(A)アルカリ現像液は不溶又は難溶性で、酸の作用によりアルカリ現像液に可溶となる性質を有するフェノール性ポリマー、 (B)電子線、X線、又はEUV光の照射により酸を発生する化合物、及び、 (C)沸点160°C以上の溶剤 を含むことを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (2)：
G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (2)：
G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
F-Term (19)：
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC05 ,  2H025AC06 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025BJ10 ,  2H025CB16 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CC03 ,  2H025DA08 ,  2H025FA17
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)

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