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J-GLOBAL ID:200903036236484483
半導体ウェハのエッジを研摩するシステム及び方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
浅村 皓 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1995028565
Publication number (International publication number):1996001495
Application date: Jan. 04, 1995
Publication date: Jan. 09, 1996
Summary:
【要約】【目的】 研摩プロセスにおける効率及びスループットを大幅に向上させ得る半導体ウェハをエッジ研摩するシステム及び方法を提供する。【構成】 半導体ウェハをエッジ研摩するシステム(20,320)は、ローダ(22,326)、ポリシャ(24,328)、アンローダ(26,330)、及び制御装置(28,335)を備えている。また、半導体ウェハをエッジ研摩する方法は、ウェハ(28)及びスペーサ(30)をローダ(22)にロードして、スタック(36)を形成する段階と、スタック(36)をポリシャ(36)中に移動させる段階と、ポリシャ(34)にスタック(36)を研摩させ、次に、ウェハ(28)及びスペーサ(30)を半自動的に除去するアンローダ(26)にスタック(36)を移動させる段階とを備えている。
Claim (excerpt):
複数の半導体ウェハをエッジ研摩するシステムにおいて、スタックを形成すべく、前記複数のウェハ及び複数のスペーサをロードするローダと、前記スタック中の前記複数のウェハのおのおののエッジを研摩するポリシャと、前記複数のスペーサをアンロードすると共に、前記ウェハをアンロードするアンローダと、を具備したことを特徴とする前記システム。
IPC (3):
B24B 9/00
, H01L 21/304 321
, H01L 21/304
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (9)
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