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J-GLOBAL ID：200903036238022282

電子材料、その製造方法、誘電体キャパシタ、不揮発性メモリおよび半導体装置

Inventor： 香取 健二 ,  ニコラス ナーゲル ,  渡部 浩司
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997112850
Publication number (International publication number)：1998242409
Application date： Apr. 30, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 誘電体キャパシタの誘電体膜の材料としてPZTはもちろん、高温の熱処理が必要なSBTなどをも用いることを可能とする電子材料、その製造方法、誘電体キャパシタおよび不揮発性メモリを提供する。【解決手段】 誘電体キャパシタの下部電極、例えばPt膜5の下側に、組成式MIaMIIb Oc (ただし、a、b、cは原子%で表した組成、MI はPt、Ir、Ru、RhおよびPdからなる群より選ばれた少なくとも一種の貴金属、MIIはHf、Ta、Zr、Nb、V、MoおよびWからなる群より選ばれた少なくとも一種の遷移金属を表す)で表され、その組成範囲が90≧a≧40、15≧b≧2、4≦c、a+b+c=100である材料からなる拡散防止層、例えばIr-Hf-O膜3を設ける。

Claim (excerpt)：

組成式MIaMIIb Oc (ただし、a、b、cは原子%で表した組成、MI はPt、Ir、Ru、RhおよびPdからなる群より選ばれた少なくとも一種の貴金属、MIIはHf、Ta、Zr、Nb、V、MoおよびWからなる群より選ばれた少なくとも一種の遷移金属を表す)で表され、その組成範囲が90≧a≧40、15≧b≧2、4≦c、a+b+c=100であることを特徴とする電子材料。

IPC (10)：

H01L 27/10 451 ,  C23C 14/08 ,  H01B 1/08 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (6)：

H01L 27/10 451 ,  C23C 14/08 K ,  H01B 1/08 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 特開平4-181766
  
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-169761   Applicant：三菱電機株式会社
• キャパシタ、電極構造及び半導体メモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-136788   Applicant：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
• 酸素拡散バリア性電極とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-089184   Applicant：日本電気株式会社
• II-VI族化合物半導体素子用電極及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-281996   Applicant：住友電気工業株式会社
• 薄膜キャパシタおよび半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-063539   Applicant：株式会社東芝