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J-GLOBAL ID：200903036238926416
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992211541
Publication number (International publication number)：1994061361
Application date： Aug. 07, 1992
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、高集積化、層間絶縁膜の厚膜化ができるようにされたコンタクト構造を有する半導体装置を得ることを最も主要な特徴とする。【構成】 第1の導電層8を含む半導体基板1の上に、第1の導電層8を覆うように層間絶縁膜21a,22aが設けられている。層間絶縁膜21a,22a中に、第1の導電層8の表面の露出させるための接続孔17aが設けられている。接続孔17aを通って、第1の導電層8に接続されるように、半導体基板1の上に第2の導電層20aが設けられている。接続孔17aの側壁面には、エッチング速度の異なる少なくとも2種の材料層21a,22aが積重なってなる層面が現われている。
Claim (excerpt)：
第1の導電層を含む半導体基板と、前記第1の導電層を覆うように前記半導体基板の上に設けられた層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜中に設けられ、前記第1の導電層の表面の一部を露出させるための接続孔と、前記接続孔を通って、前記第1の導電層に接続されるように前記半導体基板の上に設けられた第2の導電層と、を備え、前記接続孔の側壁面には、エッチング速度の異なる少なくとも2種の材料層が積重なってなる層面が現われている、半導体装置。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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