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J-GLOBAL ID：200903036245210701

プラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置

Inventor：
永関 一也

About 永関 一也

, 
斉藤 剛

About 斉藤 剛


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 亀谷 美明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998319942
Publication number (International publication number)：2000133638
Application date： Oct. 22, 1998
Publication date： May. 12, 2000
Summary：
【要約】【課題】 フォトレジスト膜に対する絶縁膜の選択比を向上させて,所定形状のコンタクトホールを形成することが可能なプラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置を提供する。【解決手段】 エッチング装置100の処理室102内に配置された下部電極106上にウェハWを載置すると共に,処理室102内にC4F8を含むガスを導入する。制御器112によりプラズマ生成用電源120から27MHzの電力を上部電極114に印加すると共に,バイアス用電源108から800kHzの電力を下部電極106に間欠的に印加する。バイアス用電力のオン時にはウェハWのSiO2から成る絶縁膜202がエッチングされ,オフ時にはフォトレジスト膜206にポリマー(保護膜)208が形成される。
Claim (excerpt)：
処理室内に処理ガスを導入し,プラズマ源により前記処理室内にプラズマを生成すると共に,前記処理室内に配置された電極にバイアス用電力を印加して,前記電極上に載置された被処理体に対して所定のエッチング処理を施すプラズマエッチング方法であって,前記バイアス用電力を前記電極に印加して所定のエッチング時間にわたり前記被処理体にエッチングを施すエッチング工程と,前記バイアス用電力を遮断して所定の成膜時間にわたり前記被処理体表面のエッチングマスクに保護膜を形成する成膜を施す成膜工程とを順次反復することを特徴とする,プラズマエッチング方法。
IPC (3)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (3)：
H01L 21/302 C ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 M
F-Term (20)：
4K057DA13 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DD09 ,  4K057DE06 ,  4K057DG15 ,  4K057DM02 ,  4K057DM17 ,  4K057DM18 ,  5F004AA05 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004DA00 ,  5F004DB03 ,  5F004EA13 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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