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J-GLOBAL ID：200903036282265559

化合物多結晶の製造方法

Inventor： 浜村 寛
Applicant, Patent owner： 株式会社ニコン
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996021199
Publication number (International publication number)：1997208223
Application date： Feb. 07, 1996
Publication date： Aug. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】 従来のアンプルでは、試料の量が多くなると蒸気圧制御が難しく、またアンプル形状が大きく複雑になる。【解決手段】 少なくともInとSeを含む3元以上の化合物の製造方法において、In及びSe以外の元素とInとを反応させてIn化合物を得る工程と、前記In化合物とSeを含む残り全ての元素とを反応させて3元以上の化合物を得る工程とからなる化合物多結晶の製造方法。

Claim (excerpt)：

少なくともInとSeを含む3元以上の化合物の製造方法において、In及びSe以外の元素とInとを反応させてIn化合物を得る工程と、前記In化合物とSeを含む残り全ての元素とを反応させて3元以上の化合物を得る工程と、からなる化合物多結晶の製造方法。