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J-GLOBAL ID：200903036290358930

半導体基材及びその作製方法

Inventor： 岡川 広明 ,  只友 一行 ,  大内 洋一郎 ,  湖東 雅弘
Applicant, Patent owner： 三菱電線工業株式会社
Agent (1)： 高島 一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003193119
Publication number (International publication number)：2004006931
Application date： Jul. 07, 2003
Publication date： Jan. 08, 2004
Summary：

【課題】マスク層を用いる事に起因する種々の問題を回避し、かつ製造工程の簡略化を図ること、また従来困難であったAlGaNの選択成長ができない問題を解決する事を目的とする。さらにSi基板等を用いた場合の反りやクラックの発生を押さえることを目的とする。【解決手段】1は基板であり、2は該基板1上に気相成長された半導体結晶をそれぞれ示している。基板1の結晶成長面には凸部11及び凹部12が形成されており、前記凸部11の上方部から専ら結晶成長が行われるよう構成されている。前記凸部11は、その幅aが0<a<1μmの範囲のサブミクロンオーダーとされ、且つ、上記基板表面に対して該凸部の占有する面積の割合が50%以下とされる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板と該基板上に気相成長された半導体結晶とからなる半導体基材であって、前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ、前記半導体結晶は該凹凸面における凸部の上方部から専ら結晶成長された半導体基材において、前記凸部は、その幅aが0<a<1μmの範囲とされ、且つ、上記基板表面に対して該凸部の占有する面積の割合が50%以下とされていることを特徴とする半導体基材。

IPC (2)：

H01L21/205 ,  H01L33/00

FI (2)：

H01L21/205 ,  H01L33/00 C

F-Term (23)：

5F041AA40 ,  5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA75 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB11 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045DB09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-170015
  
• 特開昭59-025217
  
• 化合物半導体基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-094812   Applicant：住友金属工業株式会社
• 特開平4-137521