半導体装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997041799
Publication number (International publication number)：1998242068
Application date： Feb. 26, 1997
Publication date： Sep. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】 N型ウエル層の中にP型ウエル層を形成しているので、シリコン基板表面の不純物濃度が高くなる問題点があった。【解決手段】 P型シリコン基板に深いN型ウエル層形成用の注入マスクとして、レジストマスクを用いて、第1のリンイオン注入を行い、ロコス酸化を行い同時に、N型ウエル層を形成する。次に、レジストマスクを用いて、多段階でリンイオン注入し、高濃度N型ウエル層を囲むように、N型ウエル層を形成する。次に、レジストマスクを用いて、多段階で、ボロンをイオン注入し、P型ウエル層を形成する。その後、熱処理を施すことによって、深いN型ウエル層からシリコン基板に至るN型ウエル層を形成すると共に、N型ウエル層に囲まれた領域にP型ウエル層を形成する。

Claim (excerpt)：

第1の導電型の半導体基板の表面から所定の深さに第2導電型不純物注入する第1イオン注入を行った後、アニール処理し、第2導電型の第1ウエル層を形成する工程と、上記第1ウエル層から上記半導体基板表面までの、上記第1ウエル層上部の半導体基板内部を囲むように、第2導電型の不純物を注入エネルギーを変えて、複数回行う第2イオン注入及び、上記第1ウエル層から上記半導体基板表面までの、上記第1ウエル層上の半導体基板内部全体に、第1導電型の不純物を注入エネルギーを変えて、複数回行う第3イオン注入を行い、上記第2イオン注入後と上記第3イオン注入後とに、又は第3イオン注入後にアニール処理を行うことにより、第2イオン注入領域に第2導電型の第2ウエル層を、上記第3イオン注入領域に第3ウエル層を形成する工程とを有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/265 , H01L 27/08 331 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4)：

H01L 21/265 F , H01L 27/08 331 B , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

半導体装置及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-228403 Applicant：富士通株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-062856 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-081811 Applicant：松下電器産業株式会社

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