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J-GLOBAL ID：200903036307539462
蛍光体の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西村 教光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996051494
Publication number (International publication number)：1997241632
Application date： Mar. 08, 1996
Publication date： Sep. 16, 1997
Summary：
【要約】【課題】Ga<SB>1-x </SB>In<SB>x </SB>N:A(但し0≦x<0.8、A=Zn又はMg又はCd)蛍光体を高い品質で製造する。【解決手段】Ga<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>93.6gとZnSO.1gを混合して空気中で1200°Cで2時間焼成し、Znが添加されたGa<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>を作製した。ArガスとNH<SB></SB><SB>3 </SB>ガスを熱処理装置内に導入し、RFコイルによって装置内に高温のプラズマを発生させた。前記Ga<SB>2 </SB>O<SB>3 </SB>の粉体を装置内に入れ、プラズマ中を通過させて窒化し、ほぼ球形の蛍光体を得た。蛍光表示管の陽極に適用して、従来の製法の蛍光体と輝度を比較した。従来例の蛍光体を100とすると150であった。連続点灯させると、連続点灯時間が約2000時間程度になっても輝度の低下がほとんどない。
Claim (excerpt)：
原料物質であるガリウム化合物と、インジウム化合物と、ドープ物質の中から、少なくともガリウム化合物とドープ物質を含む原料物質を選択して混合し、窒素を含み酸素を含まない雰囲気内においてこれらを急速加熱及び急速冷却することによって化学式Ga<SB>1-x </SB>In<SB>x </SB>N:A(但し0≦x<0.8、A=Zn又はMg又はCd)で表される蛍光体を製造する蛍光体の製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
C09K 11/62
, C09K 11/08 B
