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J-GLOBAL ID：200903036325499699

半導体発光素子

Inventor： 筆田 麻祐子 ,  幡 俊雄 ,  辰巳 正毅 ,  山本 健作
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 佐々木 晴康 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000192208
Publication number (International publication number)：2002016286
Application date： Jun. 27, 2000
Publication date： Jan. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】 光取り出し側、金属薄膜と酸化物透明導電膜からなる透光性電極を有する半導体発光素子において、均一な膜厚の金属薄膜を用いると、酸化物透明導電膜と金属薄膜の間に剥がれの問題がある。【解決手段】 金属薄膜を膜厚の厚い領域と、膜厚の薄い領域あるいは金属薄膜の形成されていない領域が混在していることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板の上に第1導電型の半導体層と、発光層と、第2導電型の半導体層と、第2導電型の電極がこの順に形成されており、第2導電型の電極は金属薄膜と透明導電膜からなる半導体発光素子において、前記金属薄膜は第1領域と第2領域が有り、第2領域の膜厚は第1領域より薄いことを特徴とする半導体発光素子。

F-Term (8)：

5F041AA24 ,  5F041AA41 ,  5F041AA44 ,  5F041CA40 ,  5F041CA83 ,  5F041CA88 ,  5F041CA91 ,  5F041CA98