Pat
J-GLOBAL ID:200903036329680720
基板構造及びその作製法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
加藤 一男
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999264699
Publication number (International publication number):2001093836
Application date: Sep. 20, 1999
Publication date: Apr. 06, 2001
Summary:
【要約】【課題】基板とその上に形成する半導体材料の格子定数が異なっていても欠陥の少ない良質の半導体材料を形成できる基板構造の作製方法、その基板構造である。【解決手段】基板構造は、基準面と基準面から傾いた面3を少なくとも1つ以上有する基板上に、傾いた面3から選択的に成長が発生して形成された半導体結晶膜7を有する。選択的に成長した半導体結晶膜7が、基準面にほぼ平行に横に広がることにより形成された平坦な表面を少なくとも部分的に有する。
Claim (excerpt):
基準面と該基準面から傾いた面を少なくとも1つ以上有する基板上に、該傾いた面から選択的に成長が発生して形成された半導体結晶膜を有し、該選択的に成長した半導体結晶膜が、基準面にほぼ平行に横に広がることにより形成された平坦な表面を少なくとも部分的に有することを特徴とする基板構造。
IPC (5):
H01L 21/203
, H01L 21/02
, H01L 21/205
, H01L 21/306
, H01S 5/343
FI (5):
H01L 21/203 M
, H01L 21/02 B
, H01L 21/205
, H01S 5/343
, H01L 21/306 B
F-Term (39):
5F043AA15
, 5F043AA16
, 5F043AA20
, 5F043BB08
, 5F043BB10
, 5F043FF05
, 5F043GG01
, 5F043GG06
, 5F045AA04
, 5F045AA05
, 5F045AB09
, 5F045AB10
, 5F045AB17
, 5F045AF03
, 5F045AF04
, 5F045AF09
, 5F045AF13
, 5F045AF14
, 5F045DA51
, 5F045DB04
, 5F045HA04
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073DA04
, 5F073DA05
, 5F073DA06
, 5F073DA07
, 5F103AA04
, 5F103DD01
, 5F103DD03
, 5F103DD11
, 5F103GG01
, 5F103GG05
, 5F103HH03
, 5F103HH08
, 5F103PP20
, 5F103RR06
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
半導体結晶成長方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-223418
Applicant:光技術研究開発株式会社
Cited by examiner (1)
-
半導体結晶成長方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-223418
Applicant:光技術研究開発株式会社
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