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J-GLOBAL ID：200903036338791712

pチャンネル電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサ

Inventor： 川原田 洋
Applicant, Patent owner： 独立行政法人 科学技術振興機構
Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003082986
Publication number (International publication number)：2004294087
Application date： Mar. 25, 2003
Publication date： Oct. 21, 2004
Summary：

【課題】酵素をFETチャンネル表面(ダイヤモンド表面)に直接固定することにより、酵素の感応性を向上させることができるpチャンネル電界効果トランジスタ及びそれを用いたセンサを提供する。【解決手段】水素終端、酸素終端、アミノ終端が混在したダイヤモンド表面22上にグルタルアルデヒドOHC(CH2 )3 CHO30を作用させて処理すると、水素終端、酸素終端、アミノ終端が混在したダイヤモンド表面22上にグルタルアルデヒド30が固定される。そこへ、ウレアーゼ29を作用させると、グルタルアルデヒド30にウレアーゼ29のアミノ基31が結合する。つまり、水素終端、酸素終端、アミノ終端が混在したダイヤモンド表面22にウレアーゼ29を固定できる。10-6Mから10-2Mまで尿素濃度を増加すると、閾値電圧は正方向に約0.1Vシフトし、30mV/decadeの尿素濃度感応性を示した。【選択図】 図8

Claim (excerpt)：

液体電解質をゲートとして使用し、水素終端、酸素終端及びアミノ終端が混合された多結晶及び単結晶ダイヤモンド表面をチャンネルとしたpチャンネル電界効果トランジスタ。

IPC (1)：

G01N27/414

FI (3)：

G01N27/30 301L ,  G01N27/30 301P ,  H01L29/78 301U

F-Term (12)：

5F140AA00 ,  5F140AC01 ,  5F140AC37 ,  5F140BA04 ,  5F140BA13 ,  5F140BD04 ,  5F140BF03 ,  5F140BF20 ,  5F140BF21 ,  5F140BF25 ,  5F140BJ05 ,  5F140CC02