Pat

J-GLOBAL ID：200903036341574188

半導体装置の製造方法

Inventor： ▲徳▼山 理子
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 後藤 洋介 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992347134
Publication number (International publication number)：1994196490
Application date： Dec. 25, 1992
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 シリコン単結晶半導体基板上に半導体回路素子を製造する過程において、汚染物質の除去を容易に行なうことのできる半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】 シリコン単結晶半導体基板1の半導体回路素子形成面に酸化膜3を形成する工程と、前記酸化膜3上に多結晶シリコン膜4を形成する工程と、前記酸化膜3及び多結晶シリコン膜4を除去する工程を有する。

Claim (excerpt)：

シリコン単結晶半導体基板上に半導体回路素子を製造する方法において、前記シリコン単結晶半導体基板に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、前記酸化膜上に多結晶シリコン膜を形成する多結晶シリコン膜形成工程と、前記酸化膜及び多結晶シリコン膜を除去する除去工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭61-135128
  
• 特開平1-315144
  
• 特開昭60-089932
  
• 特開平4-155930