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J-GLOBAL ID：200903036344687366

シリコンに格子整合したIII-V化合物半導体エミッター

Inventor： トム ピー.イー.ブロエカエルト ,  ゲイリー エイ.フラジアー
Applicant, Patent owner： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
Agent (1)： 浅村 皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996057877
Publication number (International publication number)：1996274376
Application date： Mar. 14, 1996
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：

【要約】【課題】 シリコンデバイスと集積できる多色発光デバイスを得る。【解決手段】 青、緑、および赤の光を放射する3個のLED(510-520-530)のスタック(500)が、シリコンに格子整合し、シリコン基板(540)の上に形成された窒化III-V化合物半導体材料を含むLEDを備えたフルカラーディスプレイ用の画素を提供する。シリコンの信号処理およびLEDドライバーの回路を同じシリコン基板上に作製することができ、それにより小型ですべてを内蔵したシステムが提供される。前記フルカラーディスプレイ上にレンズアレイを搭載することができ、観察者の目に極く接近して配置されたディスプレイとレンズアレイとの組み合わせによって単純で高分解能のディスプレイシステムが得られる。

Claim (excerpt)：

多色エミッターであって、(a)第1の色の光に対応するバンドギャップエネルギーを備えた第1の半導体材料を含む第1の接合、(b)第2の色の光に対応するバンドギャップエネルギーを備えた第2の半導体材料を含み、前記第1の接合を覆う第2の接合であって、前記第2の半導体材料の格子が前記第1の半導体材料に整合しており、また前記第2の半導体材料のバンドギャップエネルギーが前記第1の半導体材料のそれよりも大きいものである、第2の接合、および(c)前記第1および第2の接合への電気的接続、を含むエミッター。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/88

FI (3)：

H01L 33/00 F ,  H01S 3/18 ,  H01L 29/88 S