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J-GLOBAL ID：200903036357775230

半導体装置の製造方法

Inventor： 吉村 充弘 ,  土田 満穂
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 芝野 正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001033617
Publication number (International publication number)：2002237473
Application date： Feb. 09, 2001
Publication date： Aug. 23, 2002
Summary：

【要約】【課題】 従来、半導体素子領域の特性モニターとして使用するTEGには金属の測定用電極を用いていた。TEGはウエファの収率を低下させないためダイシングストリート上に設けるので、ダイシング時にこの金属電極によるブレードの目詰まりや、金属片の飛散等で、半導体素子の特性および品質の低下や、歩留まりの低下などの問題があった。【解決手段】 TEGの測定用電極にポリシリコンを使用することにより、ダイシング時のブレードの目詰まりや金属片の飛散をなくし、半導体素子の特性および品質の向上と歩留まりの低下を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。

Claim (excerpt)：

ダイシングストリート上に形成するTEGの測定用電極に半導体材料を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/66 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (3)：

H01L 21/66 Y ,  H01L 21/78 L ,  H01L 27/04 A

F-Term (10)：

4M106AA01 ,  4M106AA07 ,  4M106AB03 ,  4M106AB15 ,  4M106AB16 ,  5F038CA13 ,  5F038DT12 ,  5F038EZ12 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20