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J-GLOBAL ID：200903036364344040
フォトマスクおよびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994135844
Publication number (International publication number)：1996006234
Application date： Jun. 17, 1994
Publication date： Jan. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 フォトマスクにおいて、パターン形成後のブラシ洗浄工程におけるパターン欠損を防止して、異物の発生およびパターン欠陥を低減する。【構成】 硝子基板1上に形成した遮光膜2をレジストパターン7をマスクとして異方性ドライエッチングし、その後遮光膜2とレジスト7とをほぼ同じエッチングレートでエッチングすることにより、上端部が面取りされテーパ状の遮光膜2のパターンを形成する。
Claim (excerpt)：
硝子基板上に遮光凸パターンを有するフォトマスクにおいて、上記遮光凸パターンの上端部が面取りされ、テーパ状に形成されたことを特徴とするフォトマスク。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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