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J-GLOBAL ID：200903036370371849

化合物半導体ウエハ

Inventor： ▲吉▼村 和則 ,  長山 博
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992296119
Publication number (International publication number)：1994151583
Application date： Nov. 05, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：

【要約】【目的】 パッシベーション膜の割れやクラックを防止し、かつ、パッシベーション膜と基板との密着性の良い化合物半導体ウエハを提供することにある。【構成】 この発明の構成によれば、ダイシングライン16に露出した基板10上にダイシングラインの両側のパッシベーション膜35とは溝38を介して、分離して形成された非晶質膜36を具えている。また、ダイシングラインの非晶質膜にポリイミド樹脂膜が用いられている。また、ダイシングラインの非晶質膜にSiN膜を用いた場合、ダイシングライン構造はダイシングラインに沿った基板領域の少なくとも一部分に形成された金属膜を具えている。

Claim (excerpt)：

化合物半導体基板に複数形成された半導体装置を被覆するパッシベーション膜を有していて個々のチップに分割するためのダイシングライン構造を具えた化合物半導体ウエハにおいて、前記ダイシングライン構造は、ダイシングラインに露出した基板上に、該ダイシングラインの両側のパッシベーション膜とは溝を介して分離して形成された非晶質膜とを具えていることを特徴とする化合物半導体ウエハ。

IPC (4)：

H01L 21/78 ,  H01L 29/48 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812