Pat

J-GLOBAL ID：200903036371287191

分布帰還型半導体レーザ

Inventor： 魚見 和久 ,  土屋 朋信 ,  岡井 誠 ,  中村 厚
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994039442
Publication number (International publication number)：1995249829
Application date： Mar. 10, 1994
Publication date： Sep. 26, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明の目的は、広い温度範囲、例えば-40°C〜+85°Cで安定に動作する光通信用分布帰還型半導体レーザを提供することにある。【構成】 歪量子井戸活性層5を有する分布帰還型半導体レーザにおいて、活性層を構成する各量子井戸層の量子井戸層膜厚、混晶組成歪量、あるいは歪量を変化させることにより、各量子井戸層からの量子準位発光波長を変化させ、さらに、井戸数、歪量、量子井戸膜厚等の構造を適切に設定し、離調波長ΔGの温度依存性dΔG/dTが極めて小さな分布帰還型半導体レーザを得る。【効果】 離調波長ΔGの温度依存性dΔG/dTを極めて小さくできるので、分布帰還型半導体レーザの安定な広範囲温度動作に対して効果がある。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、少なくとも光を発生する活性層、光を閉じ込めるクラッド層と共振器の軸方向に屈折率の摂動を有する分布帰還型半導体レーザにおいて、上記活性層が少なくとも2層の量子井戸層を有し、少なくとも1層の量子井戸層の量子準位発光波長が他の量子井戸層の量子準位発光波長と異なることを特徴とする分布帰還型半導体レーザ。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/06 ,  H01S 3/133