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J-GLOBAL ID：200903036373225690

光導波路の製造方法

Inventor： 徳田 敏
Applicant, Patent owner： 株式会社島津製作所
Agent (1)： 小林 良平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991306914
Publication number (International publication number)：1993119221
Application date： Oct. 25, 1991
Publication date： May. 18, 1993
Summary：

【要約】【目的】 光導波路を誘電体層の内部の任意の深さの位置に形成し、それにより、デバイス、チップ内における光導波路の3次元配線を可能にする。【構成】 基板表面に形成した誘電体層に、その誘電体の屈折率を上昇させる不純物イオンを高エネルギで注入する。これにより、不純物元素の高濃度域により構成される光導波路(コア)は、誘電体層の表面ではなく、内部に形成される。この高濃度域(コア)の深さは注入エネルギを変えることにより制御することができる。

Claim (excerpt)：

誘電体層に、該誘電体の屈折率を上昇させる不純物イオンを高エネルギで注入し、不純物イオンの高濃度領域により構成される光導波路を誘電体層の内部に形成することを特徴とする光導波路の製造方法。