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J-GLOBAL ID：200903036377141628

表面処理シリカの製造方法

Inventor： 松村 和之 ,  山谷 正明
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 山本 亮一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993276516
Publication number (International publication number)：1995126549
Application date： Nov. 05, 1993
Publication date： May. 16, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 温和な条件で容易かつ均一にシリカの表面処理を行うことができ、反応性に富む有機官能基でも損なうことなく被覆させることができ、装置の損傷のない、操作性、安全性が改善された表面処理シリカの製造方法を提供する。【構成】 ケイ素原子に直結したアルコキシ基を有する有機ケイ素化合物を、Si-F結合を有するフッ素含有ケイ素化合物あるいはフッ素の塩化合物触媒の存在下、水あるいは含水有機溶剤中に分散させたシリカと反応させることを特徴とする表面処理シリカの製造方法。

Claim (excerpt)：

ケイ素原子に直結したアルコキシ基を有する有機ケイ素化合物を、Si-F結合を有するフッ素含有ケイ素化合物あるいはフッ素の塩化合物触媒の存在下、水あるいは含水有機溶剤中に分散させたシリカと反応させることを特徴とする表面処理シリカの製造方法。