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J-GLOBAL ID：200903036383567750

半導体装置の製造方法

Inventor： 清水 哲司 ,  志田 吉克
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 森 哲也 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992085563
Publication number (International publication number)：1993291565
Application date： Apr. 07, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】ゲート絶縁膜の耐圧特性が向上した半導体装置を短時間で製造する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】半導体基板1上に形成されたゲート絶縁膜2上に、非晶質シリコン膜3を形成し、この上に、多結晶シリコン膜4を形成する。次に、前記非晶質シリコン膜3及び多結晶シリコン膜4に、不純物を導入してゲート電極部とする。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する半導体装置の製造方法において、前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜上に、非晶質シリコン膜を形成する第1工程と、前記非晶質シリコン膜上に、多結晶シリコン膜を形成する第2工程と、前記非晶質シリコン膜及び多結晶シリコン膜に、不純物を導入する第3工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-025072
  
• 特開平2-298074
  
• 特開平4-326766