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J-GLOBAL ID：200903036395679694

発光ダイオード

Inventor： 渡辺 昌規 ,  山本 修 ,  佐々木 和明 ,  松本 晃広 ,  中津 弘志
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992159242
Publication number (International publication number)：1994005912
Application date： Jun. 18, 1992
Publication date： Jan. 14, 1994
Summary：

【要約】【目的】 無効発光を減少させて外部量子効率を改善できる発光ダイオードを提供する。【構成】 発光ダイオード(半導体チップ)の表面30に設けられた表面面電極16とがパッド部18と、このパッド部18から線状に延びる第1次の分枝19a,...,19dを有する。さらに、各第1次の分枝19a,...,19dから分岐して線状に延びる第2次の分枝20a,20b,20cと、各第2次の分枝20a,20b,20cから分岐して線状に延びる第3次の分枝22a,22b,22cを少なくとも有する。この表面電極16のパターンに沿って、発光層を含む半導体層31が直下に設けられている。半導体層31は、チップ表面30で突起したメサ状をなしている。

Claim (excerpt)：

半導体チップの表面に、発光層を含む半導体層と表面電極とが順に積層され、上記発光層が発した光を上記半導体層のうち上記表面電極で覆われていない部分からチップ外へ光を出射する発光ダイオードにおいて、上記表面電極は、パッド部と、上記パッド部から線状に延びる第1次の分枝と、上記第1次の分枝から分岐して線状に延びる第2次の分枝と、さらに上記第2次の分枝から分岐して線状に延びる第3次の分枝を少なくとも有し、上記半導体層は、上記表面電極のパターンに沿って設けられ、上記チップ表面で突起したメサ状をなしていることを特徴とする発光ダイオード。