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J-GLOBAL ID：200903036399014018

半導体発光素子、その製造方法およびその半導体発光素子を用いた半導体レーザジャイロ

Inventor： シャンムカム サラバナン ,  原山 卓久 ,  福嶋 丈浩
Applicant, Patent owner： 株式会社国際電気通信基礎技術研究所
Agent (2)： 松山 隆夫 ,  鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005205235
Publication number (International publication number)：2007027297
Application date： Jul. 14, 2005
Publication date： Feb. 01, 2007
Summary：

【課題】 相互に異なる波長を有する複数の光を発光することが可能な半導体発光素子を提供する。【解決手段】 半導体レーザは、活性層6を備える。活性層6は、2つの量子ドット層61,62を含む。量子ドット層61は、量子ドット611とキャップ層612とからなる。キャップ層612は、量子ドット611を覆う。また、量子ドット層62は、量子ドット621と、キャップ層622とからなる。キャップ層622は、量子ドット621を覆う。量子ドット611は、InAsからなり、量子ドット621は、InGaAsからなる。キャップ層611,622は、GaAsからなる。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

第1のバリア層と、 前記第1のバリア層に接して形成された活性層と、 前記活性層に接して形成された第2のバリア層とを備え、 前記活性層は、波長が相互に異なる複数のレーザ光を出射する複数の発光層を含み、 前記複数の発光層は、 バンドギャップが相互に異なる複数の量子ドットと、 前記複数の量子ドットに対応して設けられ、各々が対応する量子ドットを覆うように形成された複数のキャップ層とを含む、半導体発光素子。

IPC (2)：

H01S 5/343 ,  H01L 21/205

FI (3)：

H01S5/343 ,  H01S5/343 610 ,  H01L21/205

F-Term (25)：

5F045AA05 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AD09 ,  5F045AE09 ,  5F045AF04 ,  5F045BB16 ,  5F045CA12 ,  5F045DA56 ,  5F045EE18 ,  5F045EE19 ,  5F045HA16 ,  5F173AB49 ,  5F173AD11 ,  5F173AF08 ,  5F173AG12 ,  5F173AH03 ,  5F173AP09 ,  5F173AP33 ,  5F173AP62 ,  5F173AQ05 ,  5F173AQ11 ,  5F173AR07 ,  5F173AR93 ,  5F173AS10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• リングレーザジャイロ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-164666   Applicant：日本航空電子工業株式会社
• 光ジャイロ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-033277   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開平4-174317号公報
  
• 光ジャイロ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-296581   Applicant：キヤノン株式会社