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J-GLOBAL ID：200903036403280402

光電変換素子およびその製造方法

Inventor： 永井 宏明 ,  石橋 弘孝 ,  徳留 弘優 ,  三ツ井 琢也
Applicant, Patent owner： 東陶機器株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003107672
Publication number (International publication number)：2004319112
Application date： Apr. 11, 2003
Publication date： Nov. 11, 2004
Summary：

【課題】電解質中の沃素イオン等腐食性の高いハロゲンイオンから接合電極を隔離することで、接合金属の材質になんら制限を受けない、大面積かつ信頼性の高い光電変換素子を提供する。【解決手段】1対のベース基板の間に、第一導電層、光電変換層、電解質層、第二導電層、ベース基板の順で構成してなる光電変換機能を有する単位素子が2個以上並んだ光電変換素子であって、単位素子の第一導電層と、前記単位素子のとなりに形成された単位素子の第二導電層とが接合部を介して電気的に直列接続されており、前記接合部が有機高分子樹脂により電解質層から隔離された構造を有する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

1対のベース基板の間に、第一導電層、光電変換層、電解質層、第二導電層の順で構成してなる単位素子が2個以上並んだ光電変換素子であって、単位素子の第一導電層と、前記単位素子の隣の単位素子の第二導電層とが接合部を介して電気的に直列接続されており、前記接合部が有機高分子樹脂により前記電解質層から隔離された構造を有する光電変換素子。

IPC (3)：

H01M14/00 ,  H01L31/04 ,  H01M2/36

FI (3)：

H01M14/00 P ,  H01M2/36 101A ,  H01L31/04 Z

F-Term (22)：

5F051AA14 ,  5F051CB13 ,  5F051EA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA10 ,  5F051GA03 ,  5F051HA20 ,  5H023AA05 ,  5H023CC01 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB04 ,  5H032BB05 ,  5H032CC16 ,  5H032EE01 ,  5H032EE04 ,  5H032EE07 ,  5H032EE18 ,  5H032HH04