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J-GLOBAL ID：200903036419529095

埋込プラグの形成方法

Inventor： 山本 浩 ,  片桐 智治 ,  太田 与洋
Applicant, Patent owner： 川崎製鉄株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993113423
Publication number (International publication number)：1994326096
Application date： May. 14, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ヴィア孔へのプラグ形成が選択性よく行える埋込プラグの形成方法を提供する。【構成】 層間絶縁膜4上のレジスト5がホトリソグラフィ技術によってパターニングされる。このレジスト5をマスクに層間絶縁膜4がエッチングされ、下層配線金属膜3が一部露出するヴィア孔4aが形成される。O2 プラズマエッチングおよび有機溶剤処理によってエッチングマスクに用いられたレジスト5が除去される。次に、オゾン含有水8によって基板表面が洗浄され、続いて水洗および乾燥処理が行われる。その後、選択CVDによってヴィア孔4aの内部に金属膜が選択堆積され、埋込プラグ9が形成される。

Claim (excerpt)：

絶縁膜上のレジストをパターニングする工程と、パターニングされた前記レジストをマスクに前記絶縁膜をエッチングしてヴィア孔を形成する工程と、エッチングマスクに用いた前記レジストを除去する工程と、化学気相反応によって前記ヴィア孔に埋込プラグを選択的に形成する工程とを備えた埋込プラグの形成方法において、エッチングマスクに用いたレジストを除去する前記工程が終了した後、原子状酸素を含む溶液によって前記絶縁膜表面を洗浄する工程を備えたことを特徴とする埋込プラグの形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/3205 ,  C23C 16/20 ,  H01L 21/90

FI (2)：

H01L 21/88 K ,  H01L 21/88 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-082127
  
• 特開平4-146616
  
• 特開昭63-237527