酸化インジウム薄膜の形成方法、該酸化インジウム薄膜を用いた半導体素子用基体及び光起電力素子

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：荻上豊規
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997296424
Publication number (International publication number)：1999117091
Application date： Oct. 15, 1997
Publication date： Apr. 27, 1999
Summary：

【要約】【目的】大規模な装置を必要とせず、高温に加熱することなくして、高速で、均一膜厚で均質な大面積の酸化インジウム薄膜を形成することを可能にする成膜方法を提供する。【構成】少なくとも硝酸イオンとインジウムイオンを含有してなる水溶液(102)に導電性基体(103)と対向電極(104)を浸漬し、該導電性基体と対向電極との間に通電することにより、酸化インジウム薄膜を前記導電性基体上に形成することを特徴とする酸化インジウム薄膜の形成方法。

Claim (excerpt)：

少なくとも硝酸イオンとインジウムイオンを含有してなる水溶液に導電性基体と対向電極を浸漬し、該導電性基体と対向電極との間に通電することにより、酸化インジウム薄膜を前記導電性基体上に形成することを特徴とする酸化インジウム薄膜の形成方法。

IPC (5)：

C25D 9/08 , C01G 15/00 , H01B 13/00 503 , H01L 31/04 , H01L 31/10

FI (5)：

C25D 9/08 , C01G 15/00 B , H01B 13/00 503 B , H01L 31/04 H , H01L 31/10 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

酸化インジウム膜電解形成用組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-230951 Applicant：大阪市, 奥野製薬工業株式会社

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