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J-GLOBAL ID：200903036447375222

半導体レーザ装置

Inventor： 佐川 みすず ,  平本 清久 ,  土屋 朋信 ,  豊中 隆司
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993255491
Publication number (International publication number)：1995111363
Application date： Oct. 13, 1993
Publication date： Apr. 25, 1995
Summary：

【要約】【目的】 高出力、高信頼性を有する0.98μm帯半導体レーザを実現することを目的とする。【構成】 n型GaAs基板1上にn-InGaPクラッド層3、InGaAsP光ガイド層15、InGaAs歪量子井戸層13とGaAs障壁層14より構成される歪量子井戸SCH活性層4、p-InGaPクラッド層5、p-InGaAsP光導波層6、p-InGaPクラッド層7を有する半導体レーザ装置において、活性層4に達しないようにリッジを形成し、リッジ部はn-InGaP電流狭窄層9により埋め込まれる。【効果】 本発明により、素子の抵抗を従来と比較して4分の1以下とし、素子駆動時における発熱量を減少させることができる。この結果、高出力まで安定なモードで動作する歪量子井戸半導体レーザを得ることができる。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上に少なくとも光を発生する活性層と光を閉じ込めるInGaPクラッド層を有する半導体レーザ装置において、前記GaAs基板と反対側のクラッド層中に少なくとも一層のInGaAsPからなる層が挿入されていることを特徴とする半導体レーザ装置。