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J-GLOBAL ID：200903036459241159
半導体ウェーハの損傷評価用試料およびこの試料を用いた損傷評価方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
八田 幹雄 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996054858
Publication number (International publication number)：1997246341
Application date： Mar. 12, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：
【要約】【課題】 ウェーハが受ける損傷を、容易に評価することのできる半導体ウェーハの損傷評価用試料と、この試料を用いた損傷評価方法を提供する。【解決手段】 半導体ウェーハと組成の異なる材料12,13,14...と、前記半導体ウェーハと同一組成の材料11とを予め決めた厚さごとに複数積層した試料を、損傷を与える可能性のある工程を実施した前後で、フォトルミネッセンス法により測定して、その前後の結果を比較することとにより試料の損傷の程度およびその深さ評価する。
Claim (excerpt)：
半導体ウェーハに生じる損傷をフォトルミネッセンス法により評価するための試料であって、前記半導体ウェーハと組成の異なる材料と、前記半導体ウェーハと同一組成の材料とを予め決めた厚さごとに複数積層したことを特徴とする半導体ウェーハの損傷評価用試料。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/66 N
, G01N 21/88 E
