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J-GLOBAL ID：200903036459850198

半導体装置の製造方法

Inventor： 伊藤 一義 ,  一丸 剛
Applicant, Patent owner： 株式会社富士通宮城エレクトロニクス
Agent (1)： 伊東 忠彦 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992062561
Publication number (International publication number)：1993267452
Application date： Mar. 18, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】 本発明は半導体ウエハのダイシングを行う半導体装置の製造方法に関し、チッピングによる破片の飛散を防止することを目的とする。【構成】 半導体ウエハ11のダイシング後に、チップ11aの周辺を含むチップ間を遮光させるマスク16を位置させる。そして、紫外線を照射し、チップ11aの分離時に発生した破片15をUVテープ13に固着させた状態で該チップ11aをピックアップする。

Claim (excerpt)：

半導体ウエハ(11)の所定の処理後、該半導体ウエハ(11)をフレーム(12)の粘着テープ(13)上に固定してダイシングを行う半導体装置の製造方法において、前記フレーム(12)の粘着テープ(13)上の前記半導体ウエハ(11)を、チップ(11a)単位でダイシングを行う工程と、該粘着テープ(13)の該チップ(11a)が固着されている反対面に、該チップ(11a)の周辺を含むそれぞれのチップ間を遮光するパターンが形成されたマスク(16)を位置させる工程と、該マスク(16)側より光を照射して、該光照射部分の、該粘着テープ(13)と該チップ(11a)との接着力を弱める工程と、該粘着テープ(13)上の該マスク(16)により遮光された部分に、該チップ(11a)より発生する破片(15)を固着させた状態で、該粘着テープ(13)よりチップ(11a)を分離する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平3-239346