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J-GLOBAL ID：200903036477069096
液晶表示装置及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
西野 卓嗣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993016395
Publication number (International publication number)：1994230425
Application date： Feb. 03, 1993
Publication date： Aug. 19, 1994
Summary：
【要約】【目的】マスク数、およびホトリソ工程を減少させる液晶表示装置を製造し、同時に、その歩留まりを向上させる。【構成】本発明では、ゲ-ト絶縁膜、ノンド-プのアモルファスシリコン膜、不純物ド-プのアモルファスシリコン膜、および、メタル層を連続成膜し、その後、同一マスクで連続エッチングして薄膜トランジスタを形成する。また、薄膜トランジスタの段差を無くすために、有機膜を設けて、表示電極の段切れを防止している
Claim (excerpt)：
透明な絶縁性基板と、この上に設けられた複数のゲ-トラインと、このゲ-トラインと直行する方向に設けられた複数のドレインラインと、前記ゲ-トラインとドレインラインの交点にマトリクス状に設けられたTFTスイッチング素子と表示電極とを少なくとも有する液晶表示装置において、前記TFTは、前記ゲ-トラインと一体のゲ-ト電極と、このゲ-ト電極を覆うようにして前記絶縁性基板上に設けられたゲ-ト絶縁膜と、この上に設けられたアモルファスシリコン活性層と、この上に互いに離間して設けられた二つのアモルファスシリコンコンタクト層と、これの上に設けられた二つのメタル層と、このうち一方のメタル層上に、前記表示電極と一体で形成されるソ-ス電極と、もう一方のメタル層上に前記ドレイラインと一体であり、前記表示電極と同一材料で成るドレイン電極から成り、前記表示電極の下に前記TFTを除く前記絶縁性基板全域にわたって、前記TFTと同程度の膜厚の有機膜が設けられていることを特徴とした液晶表示装置。
IPC (4)：
G02F 1/136 500
, G02F 1/1343
, H01L 21/336
, H01L 29/784
