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J-GLOBAL ID：200903036477539122
オゾン発生素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
今井 義博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998041121
Publication number (International publication number)：1999228112
Application date： Feb. 06, 1998
Publication date： Aug. 24, 1999
Summary：
【要約】【課題】 オゾン生成反応に寄与する電界の集中を緩和し、放電による温度上昇が小さくして、オゾンの2次分解や、温度上昇で増加する窒素酸化物の生成を抑え、オゾンの発生効率を向上させたオゾン発生素子を提供する。【解決手段】 誘電体1を挟んで放電電極2と接地電極3を設け、前記放電電極2の上に保護被膜4をそなえたオゾン発生素子において、前記保護被膜4が、放電電極2に接触する第1被膜41と、この第1被膜に重ねた第2被膜42をそなえ、第1被膜の誘電率より第2被膜の誘電率を大きくし、電気力線の屈折角度を大きくしている。保護被膜4の層を、順次誘電率を大きくして増すことができる、
Claim (excerpt)：
誘電体を挟んで放電電極と接地電極を設け、前記放電電極の上に保護被膜をそなえ、電極間に高周波高電圧を印加して沿面放電を発生させるオゾン発生素子において、前記保護被膜が、誘電率の異なる2層以上の被膜で形成され、各層被膜の誘電率を、放電電極に接触する被膜から、原料ガス層に接触する被膜に向かって順次大きくしたことを特徴とするオゾン発生素子。
IPC (2)：
FI (2)：
C01B 13/11 G
, H01T 23/00
