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J-GLOBAL ID：200903036478515669

撮像素子及びその製造方法

Inventor： 和田 隆宏 ,  上野 英浩
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999362687
Publication number (International publication number)：2001177086
Application date： Dec. 21, 1999
Publication date： Jun. 29, 2001
Summary：

【要約】【課題】 フォトセンサ部に影響する重金属類のゲッタリングを容易に行う。【解決手段】 CCD固体撮像素子100の基板110の深層部に第1ゲッタ層120が設けられ、その上層に第1エピタキシャル成長層130が設けられている。また、その上層の素子分離領域100Bから基板分断部100Cにわたる領域に第2ゲッタ層140が設けられている。さらに、第1エピタキシャル成長層130及び第2ゲッタ層140の上層に第2エピタキシャル成長層150が設けられている。第2ゲッタ層140は、撮像領域のフォトセンサ部の近い位置に配置され、撮像領域の素子構造には影響を与えることない領域に設けられている。したがって、フォトセンサ部に影響する重金属類のゲッタリングを容易に行うことができ、重金属類による白キズの発生を有効に抑制することができる。

Claim (excerpt)：

エピタキシャル成長基板に複数の撮像画素より構成された撮像領域と、前記撮像領域の周辺に設けられた素子分離領域とを形成するとともに、前記エピタキシャル成長基板に重金属のゲッタリングを行うためのゲッタ層を設けた撮像素子において、前記エピタキシャル成長基板内に複数層のエピタキシャル成長層を有するとともに、前記複数層のエピタキシャル成長層の間にゲッタ層を有し、前記ゲッタ層が前記撮像領域の周辺領域に形成されている、ことを特徴とする撮像素子。

IPC (3)：

H01L 27/146 ,  H01L 21/322 ,  H04N 5/335

FI (4)：

H01L 21/322 R ,  H01L 21/322 G ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A

F-Term (8)：

4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118CA02 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA25