多接合型薄膜太陽電池とその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口巖 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002057875
Publication number (International publication number)：2003258279
Application date： Mar. 04, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】不純物の取り込みやピンホールの発生が無く、変換効率が高く、かつ製造が容易な多接合型薄膜太陽電池とその製造方法を提供する。【解決手段】 p型半導体層(p層)、実質的に真性なi型半導体層(i層)、n型半導体層(n層)を積層したpin型セルを複数層積層してなり、光入射側の上側セルと反入射側の下側セルとの境界をなす二つの層(前記n層またはp層)の少なくともいずれかの層又はその一部の層を、前記いずれかの層又はその一部の層より上側の半導体層の屈折率より低い屈折率を有する低屈折率層としてなる多接合型薄膜太陽電池において、前記低屈折率層(5)はシリコンオキサイド半導体層とする。

Claim (excerpt)：

p型半導体層(p層)、実質的に真性なi型半導体層(i層)、n型半導体層(n層)を積層したpin型セルを複数層積層してなり、光入射側の上側セルと反入射側の下側セルとの境界をなす二つの層(前記n層またはp層)の少なくともいずれかの層又はその一部の層を、前記いずれかの層又はその一部の層より上側の半導体層の屈折率より低い屈折率を有する低屈折率層としてなる多接合型薄膜太陽電池において、前記低屈折率層はシリコンオキサイド半導体層とすることを特徴とする多接合型薄膜太陽電池。

F-Term (2)：

5F051AA05 , 5F051DA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開昭63-077167
特開平2-237172
シリコンオキサイド半導体膜の成膜方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-054433 Applicant：富士電機株式会社

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