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J-GLOBAL ID：200903036481656591

窒化物系化合物半導体の製造方法及び半導体素子

Inventor： 小野 善伸 ,  秦 雅彦
Applicant, Patent owner： 住友化学工業株式会社
Agent (1)： 高野 昌俊
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001321552
Publication number (International publication number)：2003124515
Application date： Oct. 19, 2001
Publication date： Apr. 25, 2003
Summary：

【要約】【課題】 高キャリア濃度のp型層を過酷な条件を必要とせずに窒化物系化合物半導体に形成できるようにすること。【解決手段】 2族及び又は4族のp型ドーパントと窒素とを、窒化物系化合物半導体にイオン打ち込みしてp型化を図ることにより窒素の空孔の発生を抑え、イオン打ち込み時に窒化物系化合物半導体を加熱することなく、且つイオン打ち込み後における熱処理を高圧印加の必要なしに行って高キャリア濃度のp型層を得るようにした。この結果、窒化物系化合物半導体を過酷な条件にさらすことなく、そのp型化を図り、高キャリア濃度化を達成することができる。

Claim (excerpt)：

窒化物系化合物半導体に2族元素とN(窒素)とをイオン注入し、しかる後、イオン注入された前記窒化物系化合物半導体を熱処理してp型の窒化物系化合物半導体を製造することを特徴とする窒化物系化合物半導体の製造方法。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/265 601

FI (3)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/265 601 A ,  H01L 21/265 F

F-Term (6)：

5F041AA21 ,  5F041CA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA71