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J-GLOBAL ID：200903036488842455
マクロセルライブラリ上での光学近接修正のためのシステム及び方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
古谷 馨 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996048879
Publication number (International publication number)：1996272075
Application date： Mar. 06, 1996
Publication date： Oct. 18, 1996
Summary：
【要約】【課題】 サブミクロンの集積回路設計を効率的かつ精確に修正するためのシステム及び方法を提供すること【解決手段】 集積回路(IC)の作成に使用されるセルのライブラリについて光学近接修正を最初に行うことによりICのマスク設計について光学近接修正を行うシステム及び方法。予めテストされたセルがマスク設計上にインポートされる。全てのセルは、異なるセル中に完全に集積化された要素間で近接効果が発生しないことを保証するために最小距離だけ離して配置される。セル中に完全に集積化されることのない要素(例えばライン)についてのみ近接修正を行うことにより、光学近接修正技術がマスク設計について実施される。
Claim (excerpt)：
セルライブラリからの複数のセルを有するサブミクロンの集積回路マスクを設計するためのコンピュータベースの方法であって、前記セルライブラリから1つのセルを選択するステップと、前記セル内における近接効果に関して修正を行うように前記セルの内部要素を調整するステップと、前記セルライブラリ中の各セルについて前記選択ステップ及び前記調整ステップを繰り返すステップと、前記の修正されたセルを用いてサブミクロンの集積回路マスクを設計するステップとを備えることを特徴とする、サブミクロンの集積回路マスクを設計するためのコンピュータベースの方法。
IPC (2)：
FI (4)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 W
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 541 E
