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J-GLOBAL ID:200903036495106942

高度架橋超高分子量ポリエチレン(UHMWPE)から形成されたインプラント部品の製造方法及び医療用インプラント部品

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 小橋 信淳 ,  小橋 立昌
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2002562537
Publication number (International publication number):2004526010
Application date: Jan. 31, 2002
Publication date: Aug. 26, 2004
Summary:
本発明は高度架橋ポリエチレンにて形成されたインプラント部品の製造方法に関するものである。本方法では、超高分子量ポリエチレン製ブランクに電離放射線を照射してブランク内でフリーラジカルを生成する。高架橋ポリエチレンの架橋度を最適化し、フリーラジカルを除去する目的で、ブランクにマイクロ波放射及び/または超音波による後処理を行う。この後処理では、再結合していないフリーラジカルが励起されてほぼ完全な再結合が図られる。処理後、ブランクを機械加工により成形する。本発明は上記の要領で製造された医療用のインプラント部品に更に関するものである。
Claim (excerpt):
高度架橋ポリエチレンにて形成されたインプラント部品を製造する方法であって、 -超高分子量ポリエチレンにて形成されたブランクに、X線、ガンマ線や電子線といった電離放射線を照射してブランク中にラジカルを生成する工程と、 -電離放射線照射したブランクに後処理を行う工程と、 -後処理を行ったブランクを成形してインプラント部品を得る工程とからなる方法において、 前記後処理工程は、再結合していないフリーラジカルをマイクロ波照射及び/または超音波によって励起してフリーラジカルをほぼ完全に再結合させる工程であることを特徴とする方法。
IPC (3):
C08J7/00 ,  A61F2/32 ,  B29C35/08
FI (4):
C08J7/00 305 ,  C08J7/00 ,  A61F2/32 ,  B29C35/08
F-Term (22):
4C081AB05 ,  4C081BB08 ,  4C081CA021 ,  4C097AA04 ,  4C097CC03 ,  4C097DD03 ,  4C097EE02 ,  4C097MM05 ,  4F073AA07 ,  4F073BA07 ,  4F073BB05 ,  4F073CA41 ,  4F073CA42 ,  4F203AA06 ,  4F203AH63 ,  4F203AR06 ,  4F203AR20 ,  4F203DA12 ,  4F203DB01 ,  4F203DC09 ,  4F203DC10 ,  4F203DK07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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