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J-GLOBAL ID：200903036501387460
薄膜キャパシタ
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
舘野 千惠子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992150009
Publication number (International publication number)：1993326314
Application date： May. 19, 1992
Publication date： Dec. 10, 1993
Summary：
【要約】【目的】 誘電体膜を高い成膜温度で作製しても金属電極が酸化して見かけ上の誘電率が低下することがなく、またその後のプロセスにおいて高温でアニールしても絶縁性の劣化の生じない薄膜キャパシタを提供する。【構成】 下部電極、誘電体、上部電極が順次形成された構造において、下部電極の最上層に導電性窒化膜あるいはその上に白金族元素からなる膜を形成し、上部電極の最下層に導電性窒化膜を形成する。ここで、導電性窒化膜はTaN、ZrNまたはHfNとする。
Claim (excerpt)：
基板上に金属電極が形成され、該電極上に導電性窒化膜が形成され、該窒化膜上に誘電体膜が形成され、該誘電体膜上に導電性窒化膜が形成され、該窒化膜上に金属電極が形成されてなる薄膜キャパシタであって、導電性窒化膜がTaN、ZrNまたはHfNからなることを特徴とする薄膜キャパシタ。
Patent cited by the Patent：
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