Pat
J-GLOBAL ID：200903036505947029

シリコン単結晶基板の抵抗率保証方法及びシリコン単結晶基板の製造方法並びにシリコン単結晶基板

Inventor：
木村 明浩

About 木村 明浩

, 
相原 健

About 相原 健

, 
水野 亨彦

About 水野 亨彦


Applicant, Patent owner：
信越半導体株式会社

About 信越半導体株式会社


Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004011622
Publication number (International publication number)：2005206391
Application date： Jan. 20, 2004
Publication date： Aug. 04, 2005
Summary：
【課題】窒素添加のCZシリコン単結晶基板において、製品用シリコン単結晶基板の正確な抵抗率保証を行うことを可能にするシリコン単結晶基板の抵抗率保証方法及びシリコン単結晶基板の製造方法並びにシリコン単結晶基板を提供する。【解決手段】少なくとも、CZ法によりシリコン単結晶棒を育成する際に、前記シリコン単結晶棒に窒素を添加し、前記育成したシリコン単結晶棒の直胴円筒部の両端より検査用シリコン単結晶基板を切断し、前記切断した検査用シリコン単結晶基板を、少なくとも半導体素子製造工程前に800°C〜シリコンの融点の間のいずれかの温度で保持して熱処理し、前記熱処理した検査用シリコン単結晶基板の抵抗率を測定し、前記測定した検査用シリコン単結晶基板の抵抗率の値を、前記シリコン単結晶棒の直胴円筒部分の残りの部分から切断する製品用シリコン単結晶基板の抵抗率の保証値として用いるシリコン単結晶基板の抵抗率保証方法。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
シリコン単結晶基板の抵抗率を保証する方法であって、少なくとも、チョクラルスキー法によりシリコン単結晶棒を育成する際に、前記シリコン単結晶棒に窒素を添加し、前記育成したシリコン単結晶棒の直胴円筒部の両端より検査用シリコン単結晶基板を切断し、前記切断した検査用シリコン単結晶基板を、少なくとも半導体素子製造工程前に800°C〜シリコンの融点の間のいずれかの温度で保持して熱処理し、前記熱処理した検査用シリコン単結晶基板の抵抗率を測定し、前記測定した検査用シリコン単結晶基板の抵抗率の値を、前記シリコン単結晶棒の直胴円筒部分の残りの部分から切断する製品用シリコン単結晶基板の抵抗率の保証値として用いることを特徴とするシリコン単結晶基板の抵抗率保証方法。
IPC (5)：
C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  G01N27/00 ,  H01L21/322 ,  H01L21/66
FI (6)：
C30B29/06 A ,  C30B29/06 502Z ,  C30B15/00 Z ,  G01N27/00 D ,  H01L21/322 Y ,  H01L21/66 L
F-Term (21)：
2G060AA10 ,  2G060AD04 ,  2G060AF09 ,  2G060EA07 ,  2G060EB08 ,  2G060GA03 ,  2G060JA05 ,  2G060KA14 ,  2G060KA16 ,  4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077AB06 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EB01 ,  4G077GA07 ,  4G077HA12 ,  4G077PA16 ,  4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106CA10
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2) Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM