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J-GLOBAL ID：200903036507620426
半導体ディスク装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993264725
Publication number (International publication number)：1995078056
Application date： Oct. 22, 1993
Publication date： Mar. 20, 1995
Summary：
【要約】【目的】チップ交換や増設に関係しないフラッシュEEPROM上のデータに影響を与えること無く、半導体ディスク装置の記憶容量を変更する。【構成】ホストシステム1からドライブ番号#0が指定された時には第1メモリブロックが選択され、ドライブ番号#1が指定された時には第2メモリブロックが選択される。このため、ホストシステム1から見ればそれら第1および第2のメモリブロックはそれぞれ異なるディスクドライブとなり、第1のメモリブロックのフラッシュEEPROM11-1〜11-3に書き込まれるデータと、第2のメモリブロックのフラッシュEEPROM11-4〜11-6に書き込まれるデータはそれぞれ別個に管理される。したがって、第2のメモリブロック内でチップ交換や増設を行っても、第1のメモリブロックのフラッシュEEPROM11-1〜11-3に書き込まれているファイルは何等影響されない。
Claim (excerpt)：
複数のフラッシュEEPROMを内蔵し、アクセス対象のディスクドライブを指定するためのドライブ番号とそのアクセス対象のディスクドライブに含まれるディスク記録媒体をアドレス指定するための論理アドレスとを含むホスト装置からのディスクアクセス要求に応じて前記フラッシュEEPROMをアクセスする半導体ディスク装置であって、前記ディスクアクセス要求によって指定可能な第1および第2のドライブ番号がそれぞれ割り当てられ、各々がフラッシュEEPROMを有する第1および第2のメモリブロックと、前記論理アドレスをアドレス変換情報に従って前記第1または第2のメモリブロックのフラッシュEEPROMをアクセスするための物理アドレスに変換するアドレス変換手段と、前記ホスト装置によって指定されたドライブ番号に応じて前記第1および第2のメモリブロックのいずれか一方を選択し、その選択したメモリブロックのフラッシュEEPROMを前記アドレス変換手段によって変換された物理アドレスに従ってリード/ライトアクセスするメモリアクセス手段と、前記第1および第2のメモリブロック、前記アドレス変換手段、および前記メモリアクセス手段が設けられる回路基板とを具備することを特徴とする半導体ディスク装置。
IPC (2)：
G06F 3/08
, G06F 3/06 301
