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J-GLOBAL ID：200903036512098410
薄膜の形成方法およびその装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山川 政樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994236718
Publication number (International publication number)：1996100264
Application date： Sep. 30, 1994
Publication date： Apr. 16, 1996
Summary：
【要約】【目的】 膜厚が均一に形成でき、かつ簡易な構造でかつメンテナンスが容易となる。【構成】 101は内部に基板102が配設された成膜室、103は成膜室101内に配設された基板加熱ヒーター、104は活性種発生管である。107,109はシランガスを活性種発生管104に導入するバルブとマスフローコントローラである。108,110は塩素ガスを活性種発生管104に導入するバルブとマスフローコントローラである。シリコン酸化膜成膜時には、マスフローコントローラ113によって酸素ガスがオゾン発生器112に通してオゾンを含みバルブ111を通して導入される。そして、活性種発生管104は高温加熱部104aと低温加熱部104bからなり、高温および低温部加熱部ヒーター105および106が設けられている。
Claim (excerpt)：
加熱した装置の一部分に原料ガスの一部または全部を通して活性反応種を発生させ、次に別の温度に加熱した装置の一部分を通すことによって、反応性の高すぎる活性種を除去し、しかる後成膜されるべき基板表面に照射して薄膜を形成することを特徴とする薄膜の形成方法。
IPC (2)：
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