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J-GLOBAL ID:200903036519801523
露光方法及びレチクル
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
田辺 恵基
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996099324
Publication number (International publication number):1997266168
Application date: Mar. 28, 1996
Publication date: Oct. 07, 1997
Summary:
【要約】【課題】本発明は露光方法に関し、分割露光形式で回路パターンを感光基板上に2つ以上露光する場合、露光回数を減らして露光装置のスループツトを向上し得るような露光方法を実現する。【解決手段】回路パターン1Aの分割回路パターンC1と、該分割回路パターンC1と感光基板上で隣り合う回路パターン1Bの分割回路パターンC2とを1つのレチクル16C上に描き、露光時には、レチクル16Cに描かれた分割回路パターンC1と分割回路パターンC2とを同時に露光するようにした。これにより露光回数を減らすことができ、露光装置のスループツトを向上し得る。
Claim (excerpt):
1つの回路パターンを分割して得た分割回路パターンが描かれたレチクルを感光基板に対して露光することにより、該感光基板に2つ以上の前記回路パターンを露光する露光方法において、前記感光基板に露光される一方の前記回路パターンの分割回路パターンと、該分割回路パターンと前記感光基板上で隣り合う他方の前記回路パターンの分割回路パターンとを前記レチクル上に描き、露光時には、前記レチクルに描かれた前記一方の分割回路パターンと前記他方の分割回路パターンとを同時に露光することを特徴とする露光方法。
IPC (3):
H01L 21/027
, G02F 1/1343
, G03F 7/20
FI (5):
H01L 21/30 515 F
, G02F 1/1343
, G03F 7/20
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 514 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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特開平4-162670
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半導体装置の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-273913
Applicant:シャープ株式会社
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特開平4-162670
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