Pat

J-GLOBAL ID：200903036532496284

発光ダイオード

Inventor： 後藤 広将 ,  今井 秀秋
Applicant, Patent owner： 旭化成工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992222627
Publication number (International publication number)：1994069546
Application date： Aug. 21, 1992
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：

【要約】【構成】 絶縁性基板上にn型半導体層、p型およびi型半導体層から選ばれた2種以上の組み合わせからなる発光層を少なくとも一つ有し、かつ半導体層の所定の部位に発光層に電圧を印加するための電極を有するプレーナ構造の素子チップにおいて、電極とリード部材との接続が全てワイヤ-である構造を特徴とする発光ダイオード。【効果】 電極間の接触が少なく、発光性能に優れた、品質の安定したLEDが得られる。

Claim (excerpt)：

絶縁性基板上にn型半導体層、p型およびi型半導体層から選ばれた2種以上の組み合わせからなる発光層を少なくとも一つ有し、かつ半導体層の所定の部位に発光層に電圧を印加するための電極を有するプレーナ構造の素子チップにおいて、電極とリード部材との接続配線が全てワイヤ-である構造を特徴とする発光ダイオード。