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J-GLOBAL ID：200903036532814197

高周波プラズマCVD装置

Inventor： 渋谷 義継 ,  吉川 洋治
Applicant, Patent owner： シチズン時計株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992141932
Publication number (International publication number)：1993311448
Application date： May. 08, 1992
Publication date： Nov. 22, 1993
Summary：

【要約】【目的】高周波プラズマCVD装置で、1バッチあたりの成膜処理個数を増大させること。【構成】ガス透過可能でグランド電位を有する電極により複数個に分割された真空領域内のそれぞれに基材14がマッチッグボックスを介して高周波電源と接続されることを特徴とする高周波プラズマCVD装置。【効果】真空槽内を複数個に分割した状態で基材およびカソ-ド電極を配置しプラズマCVDを行なうことにより、バッチあたりの処理個数が著しく増加し、同一真空槽内であっても、基材の形態、個数に応じた最適な条件での成膜処理が可能となった。

Claim (excerpt)：

ガス透過可能でグランド電位を有する電極により複数個に分割された真空領域内のそれぞれに、基材がマッチッグボックスを介して高周波電源と接続配置されることを特徴とする高周波プラズマCVD装置。

IPC (4)：

C23C 16/50 ,  B01J 19/08 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31