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J-GLOBAL ID：200903036539307797

半導体装置の製造方法

Inventor： 桂 敏彦 ,  久保田 剛 ,  安部 正泰
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993121160
Publication number (International publication number)：1994333874
Application date： May. 24, 1993
Publication date： Dec. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】この発明は、微細ホ-ルの底部にボイドが生じることを抑制することにより、微細ホ-ルにおける金属膜のマイグレ-ション信頼性を向上させる。【構成】シリコン基板31の表面上に熱酸化膜32を設け、熱酸化膜32にコンタクトホ-ル32a を設け、コンタクトホ-ル32a の内および熱酸化膜32の上にバリアメタル33を形成し、バリアメタル33の上に圧力が数mmTorrの雰囲気でスパッタリング法によりAl合金膜34を形成する。この際、Al合金膜34をコンタクトホ-ル32a の上でブリッジングさせる。次に、シリコン基板31を、図示せぬレ-ザ・メルト装置におけるプロセス室に入れ、このプロセス室内の圧力を0.8Torr以上の雰囲気とし、前記Al合金膜34にレ-ザ光を照射し、前記Al合金膜34をコンタクトホ-ル32a 内に埋め込む。従って、微細ホ-ルの底部にボイドが生じることを抑制できる。

Claim (excerpt)：

半導体基板の上に絶縁膜を設ける工程と、前記絶縁膜に微細ホ-ルを設ける工程と、前記微細ホ-ルの内および前記絶縁膜の上にバリアメタル及び主配線材金属膜を設ける工程と、圧力が0.8Torr以上の雰囲気で、前記主配線材金属膜にレ-ザ光を照射することにより、前記主配線材金属膜によって前記微細ホ-ル内を埋め込む工程と、を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90