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J-GLOBAL ID：200903036544794264

薄膜多層回路基板とその製造方法

Inventor： 染田 博樹
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996022907
Publication number (International publication number)：1997219587
Application date： Feb. 09, 1996
Publication date： Aug. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、電子機器に用いられる薄膜多層回路基板に関し、層間樹脂膜に悪影響を与える基板加熱を行うことなく基板内に高誘電体膜を形成する。【解決手段】 ビアホールを有する樹脂製の層間絶縁層1と配線導体層2とを交互に多層積層して構成された薄膜多層回路基板において、樹脂製の層間絶縁層の一部を複合酸化物高誘電体膜に置き換えて成膜し、レーザを用いて複合酸化物高誘電体を選択的にアニールし、複合酸化物高誘電体膜ならびに該複合酸化物高誘電体膜を挟む上層配線導体層と下層配線導体層とでコンデンサを構成する。

Claim (excerpt)：

ビアホールを有する樹脂製の層間絶縁層と配線導体層とを交互に多層積層して構成された薄膜多層回路基板の内部に、複合酸化物高誘電体膜を用いたコンデンサを含むことを特徴とする薄膜多層回路基板。

IPC (3)：

H05K 3/46 ,  H01G 4/33 ,  H05K 3/00

FI (5)：

H05K 3/46 E ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/00 L ,  H01G 4/06 102

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 薄膜多層回路基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-217479   Applicant：松下電器産業株式会社
• 超微粒子膜の物性制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-229537   Applicant：オムロン株式会社
• 回路基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-291298   Applicant：京セラ株式会社