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J-GLOBAL ID：200903036545050706

多層配線形成方法

Inventor： 尾崎 秀人
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992010962
Publication number (International publication number)：1993206285
Application date： Jan. 24, 1992
Publication date： Aug. 13, 1993
Summary：

【要約】【目的】 配線表面の高抵抗層の効率的な除去と、多層配線の高信頼化、高歩留り化とを実現する。【構成】 アッシングやウェット洗浄で、第一の配線層3の形成時に用いたレジストを除去する。このときに第一の配線層3の表面に酸化膜からなる高抵抗層4が生じる。次に、第一の配線層3の表面に300W程度の高周波(RF)電力でアルゴンガス、不活性ガス、または窒素ガスを電離させて得たイオンで第一のRFクリーニング処理を施す。この処理によって、レジスト除去時に形成される第一の配線層3の表面にある高抵抗層4が除去され、第一の配線層の表面がクリーニングされる。第一のRFクリーニングは、スルーホール形成前であるので第一の配線層3の表面上全域に施すことができ、スルーホールのサイズに関係なくRFクリーニングの効率を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に絶縁膜を介して作り込まれた第一の配線層に第一のRFクリーニングを施す工程、前記第一の配線層上に絶縁膜を形成する工程、前記絶縁膜上に所定のレジストパターンを形成する工程、前記レジストパターンをマスクにして前記絶縁膜にスルーホールを開口する工程、前記レジストパターンを除去する工程、前記全工程を経た半導体基板を第二のRFクリーニングする工程、および前記第二のRFクリーニング後において真空中搬送し導電膜を形成する工程を有することを特徴とする多層配線形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/90 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/304 341