高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： , , , , , , , , , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：小島隆司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001346959
Publication number (International publication number)：2002220417
Application date： Nov. 13, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：

【要約】【解決手段】式(1)で示される繰り返し単位を含むする高分子化合物。【化1】(R<SP>1</SP>はF又はフッ素化されたアルキル、R<SP>2</SP>はH又は酸不安定基、R<SP>3</SP>〜R<SP>8</SP>はH、F、アルキル又はフッ素化されたアルキル、R<SP>9</SP>は酸不安定基、密着性基及び少なくとも1個のフッ素原子を含む高透明性基から選ばれる少なくとも1個の基。i、jは正数。0<a<5、0<b<5、0<a+b≦5。)【効果】本発明のレジスト材料は、高エネルギー線に感応し、200nm以下、特に170nm以下の波長における感度が優れている上に、含フッ素ヒドロキシスチレン及び含フッ素アクリル酸エステルユニットの導入により基板密着性及びアルカリ現像性が向上し、それと同時に優れた解像性を有することがわかった。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位を含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R<SP>1</SP>はフッ素原子又はフッ素化されたアルキル基であり、R<SP>2</SP>は水素原子、又は酸不安定基を示す。R<SP>3</SP>〜R<SP>8</SP>は水素原子、フッ素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素化されたアルキル基である。R<SP>9</SP>は酸不安定基、密着性基及び少なくとも1個のフッ素原子を含む高透明性基から選ばれる少なくとも1個の基を表す。i、jは正数である。a、bは、0<a<5、0<b<5、0<a+b≦5である。)

IPC (4)：

C08F212/12 , C08F220/10 , G03F 7/039 601 , H01L 21/027

FI (4)：

C08F212/12 , C08F220/10 , G03F 7/039 601 , H01L 21/30 502 R

F-Term (30)：

2H025AA01 , 2H025AA04 , 2H025AA14 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE10 , 2H025BG00 , 2H025CB08 , 2H025CB14 , 2H025CB17 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CC20 , 2H025FA01 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4J100AB07P , 4J100AL08Q , 4J100AL08R , 4J100BA03P , 4J100BB07P , 4J100BB18R , 4J100BC03Q , 4J100BC27Q , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100JA38

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (11)

芳香族ビニリデン系共重合体および芳香族ビニリデン系共重合体の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-075702 Applicant：三井化学株式会社, 本州化学工業株式会社
ポリスチレン系高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料並びにパターン形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-299178 Applicant：信越化学工業株式会社
高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-017972 Applicant：信越化学工業株式会社

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